Summary: Montaje de pilares de cobre se está volviendo cada vez más popular en la fabricación de sem...
Montaje de pilares de cobre se está volviendo cada vez más popular en la fabricación de semiconductores. Es un cilindro de cobre de alrededor de 50um de diámetro rematado con una cúpula de soldadura. Debido a que se trata de una interconexión de oblea golpeada, el proceso de unión entre el cobre y la almohadilla de oblea es fundamental para la confiabilidad del producto terminado.
Los pilares de cobre se galvanizan sobre una capa de semilla de Cu en la base y se usa una barrera de difusión de níquel para limitar el crecimiento de la capa intermetálica de cobre y estaño. Esta barrera limita el crecimiento de microhuecos y mejora la confiabilidad. En algunos casos, sin embargo, puede que no sea necesario usar la barrera de difusión de níquel cuando la química del cobre es de alta pureza.
Otro método para implementar el ensamblaje de pilares de cobre es mediante el uso de pilares de aleación de níquel. Los pilares de aleación de níquel se pueden fabricar con superficies modificadas para evitar la humectación de la soldadura. Estos pilares pueden estar hechos de aleación de níquel, o pueden estar hechos de otra aleación. En algunos casos, tanto la aleación de cobre como la de níquel pueden fabricarse sobre el mismo sustrato.
Al considerar el montaje de pilares de cobre, es fundamental una cuidadosa optimización. La forma de la estructura puede determinar si las pruebas de unión por cizallamiento o tracción serán efectivas. Las pruebas de unión por tracción pueden ser útiles cuando el cobre es relativamente duro. Un análisis cuidadoso del proceso de unión puede ayudar a garantizar que sea fuerte y duradero. Entonces, el proceso puede continuar con confianza.
La tecnología de montaje de pilares de cobre se está convirtiendo en el método preferido para la fabricación de chips flip, ya que permite montar semiconductores con una densidad mucho mayor. Debido a esto, el paso del chip IC se vuelve cada vez más pequeño. Con estas técnicas, el paquete de semiconductores tendrá más conexiones, mayor confiabilidad y menor costo.
Los principales parámetros técnicos:
1, nivel de precisión: 2 ~ 4000A; 0,5: 5000 ~ 10000A; 1 nivel
2, las condiciones ambientales: -40 ~ 60 ℃, humedad relativa ≤ 95% (35 ℃).
3, rendimiento de sobrecarga: corriente nominal 120%, 2 horas.
4, la caída de voltaje: 50mV60mV70mV100mV
5, la carga bajo el calor: la estabilidad de la temperatura tiende a cambiar, la corriente nominal 50A lo siguiente no supera los 80 ℃; la corriente nominal de 50 A o más no supera los 120 ℃.
Fabricantes de derivaciones de manganina de China
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